RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

Fabr.:

Descripción:
IGBT POWER TRS1

Ciclo de vida:
Disponibilidad limitada:
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Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 4

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
12,81 € 12,81 €
12,44 € 124,40 €
8,92 € 267,60 €
7,43 € 445,80 €
6,49 € 778,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
Marca: Renesas Electronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 20 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 1 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RJP65T43DPM High Speed Switching IGBT

Renesas Electronics RJP65T43DPM High Speed Switching IGBT is a 650V, 20A IGBT with a 20kHz to 100kHz operating frequency range. This IGBT offers low collector-to-emitter saturation voltage and comes in a TO-3PFM package. The RJP65T43DPM IGBT features a 150A collector peak current, 68.8W collector dissipation, and 175°C junction temperature. This IGBT is stored in the -55°C to 150°C temperature range, and typical applications include Power Factor Correction (PFC).

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