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TPN2R304PL,L1Q

Name: Toshiba TPN2R304PL,L1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPN2R304PLL1Q
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TPN2R304PLL1Q

Fabr. N.º:

TPN2R304PL,L1Q

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET 40 Volt N-Channel

Hoja de datos:

TPN2R304PL,L1Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,16 €	1,16 €
	0,729 €	7,29 €
	0,483 €	48,30 €
	0,377 €	188,50 €
	0,32 €	320,00 €
	0,315 €	787,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,299 €	1.495,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSON-Advance-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.4 V
Qg (carga de compuertas):	41 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIX-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	JP
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	12.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.8 ns
Serie:	TPN2R304PL
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17.5 ns
Peso unitario:	20 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.