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BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 13.88 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-BM3G005MUV-LBE2

Fabr. N.º:

BM3G005MUV-LBE2

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

FET de GaN PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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-,-- €

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	13,88 €	13,88 €
	10,74 €	107,40 €
	9,78 €	978,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	8,85 €	8.850,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VQFN-46
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	68.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	70 mOhms
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 105 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Nano Cap; EcoGaN
Marca:	ROHM Semiconductor
Tiempo de caída:	2.7 ns
Frecuencia operativa máxima:	2 MHz
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN HEMT Power Stage
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.