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ISC030N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N12NM6ATMA
Price: 4.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-ISC030N12NM6ATMA

Fabr. N.º:

ISC030N12NM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

ISC030N12NM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Fecha prevista: 02/07/2026
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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,35 €	4,35 €
	2,84 €	28,40 €
	2,37 €	237,00 €
	2,31 €	1.155,00 €
	2,30 €	2.300,00 €
	2,29 €	5.725,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	1,78 €	8.900,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	194 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	59 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	8.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Alias de parte #:	ISC030N12NM6 SP005578327

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un R_DS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.