Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IMT65R010M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R010M2HXUMA
Price: 17.12 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-IMT65R010M2HXUMA

Fabr. N.º:

IMT65R010M2HXUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IMT65R010M2HXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IMT65R010M2HXUMA1

En existencias: 1.914

Existencias:: 1.914 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	17,12 €	17,12 €
	14,60 €	146,00 €
	13,24 €	1.324,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	12,08 €	24.160,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOF-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	168 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	13.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	113 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	681 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.4 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	650V G2
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	16 ns
Alias de parte #:	IMT65R010M2H SP006051121

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IMT65R010M2HXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Los MOSFET CoolSiC ™ 650V G2 de Infineon Technologies aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de energía. Los MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon ofrecen ventajas para diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, como energía fotovoltaica, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos con CC, accionamientos de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida de CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 permite reducir hasta en un 10 % la pérdida de potencia con respecto a las generaciones anteriores, al tiempo que ofrece una mayor capacidad de carga sin comprometer los factores de forma.