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BSL308PEH6327XTSA1

Name: Infineon BSL308PEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSL308PEH6327XTS
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSL308PEH6327XTS

Fabr. N.º:

BSL308PEH6327XTSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Hoja de datos:

BSL308PEH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,611 €	0,61 €
	0,339 €	3,39 €
	0,296 €	29,60 €
	0,237 €	118,50 €
	0,215 €	215,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,185 €	555,00 €
	0,166 €	996,00 €
	0,153 €	1.377,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSOP-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	88 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.8 ns, 2.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4.6 S, 4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.7 ns, 7.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15.3 ns, 15.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.6 ns, 5.6 ns
Alias de parte #:	BSL308PE H6327 SP001101004
Peso unitario:	20 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Application Notes

Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET de baja potencia de señal

Los MOSFET de baja potencia de señal Infineon están disponibles en 7 tipos de paquete estándar en la industria, desde el mayor SOT-223 hasta el menor SOT-363, que mide 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Se ofrecen en configuraciones individual, doble y complementaria. Existen en versiones de canal N, de canal P o complementaria (canal P y canal N en el mismo paquete) para cumplir una variedad de requisitos de diseño. Aplicaciones típicas de estos dispositivos: protección de batería, iluminación LED, accionamientos de tensión baja y convertidores de CC/CC. Cada uno de estos MOSFET de baja potencia de señal también sirve para AEC Q101 para automoción.
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