726-BSC0924NDI MOSFET

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 4.158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 3.8 mOhms, 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC, 12.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40ATISON-8 No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 3.8 mOhms, 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC, 12.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel