6ED2230S12TXUMA1

Infineon Technologies
726-6ED2230S12TXUMA1
6ED2230S12TXUMA1

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSO-24
6 Driver
6 Output
650 mA
13 V
20 V
Inverting
35 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Infineon SOI
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Tipo lógico: CMOS
Tiempo de retraso de apagado máximo: 600 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 600 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 175 uA
Pd (disipación de potencia): 1.3 W
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 900 ns
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Nombre comercial: EiceDRIVER
Alias de parte #: 6ED2230S12T SP001656578
Peso unitario: 807,300 mg
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Atributos seleccionados: 0

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Product Catalogs

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Indonesia
País de difusión:
Malasia
El país puede cambiar en el momento del envío.

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

En existencias: 1.625

Existencias:
1.625 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
45 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,95 € 3,95 €
3,00 € 30,00 €
2,76 € 69,00 €
2,50 € 250,00 €
2,37 € 592,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
2,23 € 2.230,00 €
2,09 € 4.180,00 €
2,08 € 10.400,00 €

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