1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED21271S65FXUMA
1ED21271S65FXUMA1

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta 650V high-side gate driver

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 2.373

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,00 € 2,00 €
1,29 € 12,90 €
1,15 € 28,75 €
0,955 € 95,50 €
0,894 € 223,50 €
0,781 € 390,50 €
0,679 € 679,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,617 € 1.542,50 €
0,588 € 4.410,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
PG-DSO-8
1 Driver
1 Output
4 A
25 V
Inverting
12 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de retraso de apagado máximo: 80 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 80 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 270 uA
Voltaje de salida: 460 mV
Pd (disipación de potencia): 625 mW
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 410 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 50 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Nombre comercial: EiceDRIVER
Alias de parte #: 1ED21271S65F SP005826767
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers are designed to provide robust and efficient control for high-voltage power transistors. These Infineon gate drivers feature a high-side driver architecture that supports a wide range of applications, including motor drives, solar inverters, and industrial power supplies. With a maximum voltage rating of 650V, the 1ED21x7x series ensures reliable operation in demanding environments. Key features include integrated bootstrap diodes, fast switching capabilities, and comprehensive protection mechanisms such as undervoltage lockout (UVLO) and overcurrent protection. These attributes make the EiceDRIVER™ 1ED21x7x series an ideal choice for enhancing the performance and reliability of high-voltage power systems.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.