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EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 8.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

65-EPC2361

Fabr. N.º:

EPC2361

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2361 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Tecnología:	GaN
Marca:	EPC
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	35,200 mg

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Hoja de datos

EPC2361 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

EPC2361 eGaN® FET

EPC EPC2361 Enhancement-Mode Gallium Nitride Field-Effect Transistor (eGaN^® FET) is a 100V power transistor engineered for efficient power conversion. The device offers a typical 0.75mΩ on-resistance, high-current capability, ultra-low gate charge, and zero reverse-recovery charge. These characteristics support high switching frequencies and reduced power losses in demanding applications.

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Plazo de producción de fábrica:: 18

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,24 €	8,24 €
	4,54 €	45,40 €
	4,18 €	418,00 €
	3,92 €	1.960,00 €
	3,59 €	3.590,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,35 €	10.050,00 €

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Descripción: FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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