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STD8N60DM2

Name: STMicroelectronics STD8N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD8N60DM2
Price: 1.9 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STD8N60DM2

Fabr. N.º:

STD8N60DM2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	570 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	85 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	STD8N60DM2
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	330 mg

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Hoja de datos

STD8N60DM2 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de potencia de canal N FDmesh II Plus™ STx24N60DM2

Los MOSFET de potencia de canal N FDmesh II Plus™ STx24N60DM2 de STMicroelectronics se fabrican mediante una nueva generación de tecnología MDmesh™: MDmesh II Plus™ de nivel bajo de Q_g. Estos revolucionarios MOSFET asocian una estructura vertical a la distribución en tiras para conseguir niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas bajos. Son adecuados para convertidores de alta eficiencia exigentes y representan la opción perfecta para topologías de puente y convertidores con cambio de fase ZVS.
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Disponibilidad

Existencias:: 0

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Pedido:: 4.990

Fecha prevista: 04/06/2027
Plazo de producción de fábrica:: 24

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,90 €	1,90 €
	1,19 €	11,90 €
	0,785 €	78,50 €
	0,623 €	311,50 €
	0,553 €	553,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,506 €	1.265,00 €
	0,486 €	2.430,00 €
	0,473 €	4.730,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

STD8N60DM2

Fabr.: STMicroelectronics

Descripción: MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Complete su diseño

Especificaciones

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