SCTWA70N120G2V-4
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511-SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4
Fabr.:
Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos:
En existencias: 28
-
Existencias:
-
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-
Plazo de producción de fábrica:
-
17 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 28 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 25,38 € | 25,38 € | |
| 18,51 € | 185,10 € |
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Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
- TARIC:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
