Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

SCTH60N120G2-7

Name: STMicroelectronics SCTH60N120G2-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH60N120G2-7
Price: 14.17 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-SCTH60N120G2-7

Fabr. N.º:

SCTH60N120G2-7

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

SCTH60N120G2-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics SCTH60N120G2-7

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 1000 Múltiples: 1000

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	14,17 €	14.170,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H2PAK-7
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	52 mOhms
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	94 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	390 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	16 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCTH60N120G2-7 Hoja de datos (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
Más información