Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

GP3T080A120H

Name: SemiQ GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T080A120H
Price: 4.26 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

148-GP3T080A120H

Fabr. N.º:

GP3T080A120H

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GP3T080A120H Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SemiQ GP3T080A120H

En existencias: 90

Existencias:: 90 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,26 €	4,26 €
	3,29 €	32,90 €
	2,37 €	284,40 €
	1,97 €	1.004,70 €
	1,96 €	1.999,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	70 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	53 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	147 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	6 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	GP3T
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GP3T080A120H Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Dispositivos discretos MOSFET SiC GEN3 de 1200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.