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GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 39.54 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GCMS008C120S1-E1

Fabr. N.º:

GCMS008C120S1-E1

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GCMS008C120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	39,54 €	39,54 €
	34,35 €	343,50 €
	30,04 €	3.604,80 €
25.020	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	189 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	536 W
Serie:	GCMS
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	34 ns
Altura:	12.19 mm
If - Corriente delantera:	176 A
Longitud:	38.1 mm
Producto:	Power Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	91 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	37 ns
Vf - Tensión delantera:	2.03 V
Anchura:	25.3 mm

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GCMS008C120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Módulos de potencia MOSFET SiC GEN3 de 1200 V

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.