8 Gbit Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Resultados: 167
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Kioxia America Flash NAND SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) 91En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT 6En existencias
3.536Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
210Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
147Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Macronix Flash NAND SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
220Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, IT
4.369Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
6.107Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2.690Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5.473Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1.904Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
809Fecha prevista: 07/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3.371Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136Fecha prevista: 14/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
135Fecha prevista: 05/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Alliance Memory AS5F18G04SND-10LIN
Alliance Memory Flash NAND SPI SLC Flash NAND, 8Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
350Fecha prevista: 17/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Alliance Memory AS5F38G04SND-08LIN
Alliance Memory Flash NAND SPI SLC Flash NAND, 8Gb, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
352Fecha prevista: 11/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 220
Múlt.: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1