6 GHz Semiconductores

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
MACOM FET de GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 66En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Analog Devices Precontador Divby 1,2,3,4,6GHz 6En existencias
500Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

Skyworks Solutions, Inc. Diodos PIN Ls=.7nH SC-79 Single 4.810En existencias
249.000Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 5En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5En existencias
1.200Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 200

Skyworks Solutions, Inc. Diodos PIN .45pF -40C +150C Thrshld Lvl +12 dBm
112.639Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Skyworks Solutions, Inc. Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 Single
19.090Fecha prevista: 30/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Qorvo FET de GaN 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
40Fecha prevista: 20/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MACOM FET de GaN 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
117Fecha prevista: 17/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Skyworks Solutions, Inc. Diodos PIN .33pF -40C +150C Thrshld Lvl +9 dBm
983Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000


Skyworks Solutions, Inc. Diodos PIN Anti-parallel PIN Diode Limiter
10Fecha prevista: 23/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100


MACOM Diodos PIN Vr=500VDC Rs=.45 Ohm Cj=.35pF No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
MACOM Diodos PIN 1-6000MHz .32pF -55C +125C No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

MACOM FET de GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 80
Múlt.: 80

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 10

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

Infineon Technologies BAR 64-02V H6327
Infineon Technologies Diodos PIN RF DIODE 1.487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 10

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10