HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado

IXYS MOSFET 650V/64A Power MOSFET 3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-263D2 21En existencias
350Fecha prevista: 04/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS 28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L 509En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 250V 30A N-CH X3CLASS 286En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A 312En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 286En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET 257En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS 298En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds 261En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds 292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET 297En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds 248En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A 299En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 140 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds 267En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET 267En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds 295En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 50Amps 250V 263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 50 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2 51En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 17 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 430 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 14A 270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET 238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET 480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC 500 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 850V 8A N-CH XCLASS 263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET 195En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube