HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS MOSFET 600V 16A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 20 A 300 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar 22A 600V TO-263 D2PAK MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 5 A 1.65 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 7A
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 7 A 1.15 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 37 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 37 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 170 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 258 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 44 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 210 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 1.5 kW HiPerFET Tube