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PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.74 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-PMDXB550UNEZ

Fabr. N.º:

PMDXB550UNEZ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET PMDXB550UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Hoja de datos:

PMDXB550UNEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 21.000

Fecha prevista: 11/06/2027

50.000

Fecha prevista: 21/06/2027
Plazo de producción de fábrica:: 53

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,74 €	0,74 €
	0,51 €	5,10 €
	0,323 €	32,30 €
	0,20 €	100,00 €
	0,148 €	148,00 €
	0,132 €	330,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,114 €	570,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1010-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	590 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	670 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	450 mV
Qg (carga de compuertas):	1.05 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	4.03 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	600 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4 ns
Alias de parte #:	934069326147
Peso unitario:	1,290 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.