Resultados: 36
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
Hoja de datos
757En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
Hoja de datos
703En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Hoja de datos
15En existencias
600Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Hoja de datos
600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
3.951Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
Hoja de datos
2.979Fecha prevista: 28/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
Hoja de datos
44En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube