MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) SICWx

Los MOSFET de Carburo de Silicio (SiC)SICWx de Micro Commercial Components (MCC) son MOSFET SiC a 650 V de conmutación de alta velocidad. Estos MOSFET utilizan la tecnología MOSFET SiC y son adecuados para aplicaciones de alta tensión, garantizando un funcionamiento fiable en entornos industriales adversos. Los MOSFET SICWx están diseñados con un RDS(on) bajo y una carga de compuertas baja para reducir las pérdidas de conmutación y contribuir a una mayor eficiencia general del sistema. El diseño para aumentar la eficiencia y el encapsulado TO-247 ofrecen un rendimiento térmico superior, mientras que las opciones de 3 o 4 pines (pines de fuente Kelvin) aumentan la versatilidad. Los MOSFET SICWx están fabricados con un diseño robusto y con capacidad de avalancha para permitir una mejor gestión térmica y una mayor eficiencia. Estos MOSFET son ideales para su uso en fuentes de alimentación, telecomunicaciones, sistemas de energía renovable y accionamientos de motores.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
360En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
177En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
336En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
355En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
337En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
360En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement