Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

SIA469DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA469DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA469DJ-T1-GE3
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

78-SIA469DJ-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIA469DJ-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA469DJ-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Vishay Semiconductors SIA469DJ-T1-GE3

En existencias: 102.985

Existencias:: 102.985 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 28 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,507 €	0,51 €
	0,314 €	3,14 €
	0,201 €	20,10 €
	0,151 €	75,50 €
	0,134 €	134,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,115 €	345,00 €
	0,105 €	630,00 €
	0,09 €	810,00 €
	0,087 €	2.088,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-70-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	21 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	32 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	15.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia delantera: mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	17 ns
Serie:	SIA
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Peso unitario:	45,597 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SIA469DJ-T1-GE3 Hoja de datos

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET provides low on-resistance in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The SiA469DJ MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is RoHS compliant and halogen free. Typical applications include load switches, DC/DC converters, high-speed switching, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.