Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi Módulos MOSFET 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi Módulos MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Hoja de datos
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
Hoja de datos
26En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
Hoja de datos
28Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 28
Múlt.: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
Hoja de datos
28Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC NXH040F120MNF1 Tray