Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

TPH9R00CQH,LQ

Name: Toshiba TPH9R00CQH,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH9R00CQHLQ
Price: 2.21 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

757-TPH9R00CQHLQ

Fabr. N.º:

TPH9R00CQH,LQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET

Hoja de datos:

TPH9R00CQH,LQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Toshiba TPH9R00CQH,LQ

En existencias: 2.478

Existencias:: 2.478 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,21 €	2,21 €
	1,47 €	14,70 €
	1,04 €	104,00 €
	0,849 €	424,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,694 €	3.470,00 €
25.000	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-Advance-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	64 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	44 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	210 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	41 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TPH9R00CQH,LQ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TPH9R00CQH Silicon N-Channel MOSFET

Toshiba TPH9R00CQH Silicon N-Channel MOSFET offers high-speed switching with a small output and gate charge. The TPH9R00CQH is available in an SOP-8 package and operates up to 175°C. The device delivers a low drain-source on-resistance (7.3mΩ), low leakage current (10µA), and 3.3V to 4.3V enhancement mode. The Toshiba TPH9R00CQH Silicon N-Channel MOSFET is ideal for high-efficiency, DC-DC converter, switching voltage regulator, and motor driver applications.