CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
190En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
333En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
131En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
226En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
191En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel