MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un RDS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Qdg/Qgs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 50 nC - 55 C + 175 C 27.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 5.6 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 29.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 33 A 6 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 14.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.3 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 97.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH N-Channel 1 Channel 20 V 21.1 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 81.2 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 1.52 mOhms - 12 V, 16 V 1 V 75 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay MOSFET PPAK1212 N-CH 80V 17.4A
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 80 V 63 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 6.000
Múlt.: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 51 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.2 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement