Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK 1.560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 47.737En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5.662En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Channel Mosfet 9.771En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V 5.008En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5.106En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape