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FMMT411FDBWQ-7

Name: Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-FMMT411FDBWQ-7
Price: 3.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-FMMT411FDBWQ-7

Fabr. N.º:

FMMT411FDBWQ-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistores bipolares - BJT Avalanche Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

Hoja de datos:

FMMT411FDBWQ-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,71 €	3,71 €
	2,45 €	24,50 €
	1,73 €	173,00 €
	1,58 €	790,00 €
	1,57 €	1.570,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,34 €	4.020,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	W-DFN2020-3
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	80 V
Voltaje colector-base VCBO:	80 V
Voltaje emisor-base VEBO:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	100 mV
Pd (disipación de potencia):	1.8 W
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	110 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	FMMT411FDBWQ-7
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Corriente continua del colector:	5 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	100 at 10 mA, 10 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

FMMT411FDBWQ Low Voltage Avalanche Transistor

Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ Low Voltage Avalanche Transistor is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging produce high-on-current pulses with fast edges. This Diodes Incorporated Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.