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RV7E035ATTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV7E035ATTCR1
Price: 0.68 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RV7E035ATTCR1

Fabr. N.º:

RV7E035ATTCR1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

RV7E035ATTCR1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,688 €	0,69 €
	0,425 €	4,25 €
	0,28 €	28,00 €
	0,22 €	110,00 €
	0,188 €	188,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,157 €	471,00 €
	0,143 €	858,00 €
	0,132 €	1.188,00 €
	0,129 €	3.096,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN1212-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	78 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	4.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET is a compact, high-performance device designed for low-voltage switching applications. Housed in a space-saving TUMT3 package, the RV7E035AT offers excellent switching characteristics and low on-resistance, making it ideal for portable and battery-powered electronics. This MOSFET features a drain-source voltage (V_DS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -3.5A, and a low on-resistance [R_DS(on)] of just 47mΩ at V_GS = -4.5V, ensuring efficient power management and minimal heat generation. The ROHM Semiconductor RV7E035AT is optimized for high-speed switching and is well-suited for load switching, DC-DC converters, and power management circuits in compact electronic devices. A robust design and thermal efficiency also support reliable operation in demanding environments.