Resultados: 4
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Fecha prevista: 13/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Fecha prevista: 13/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Fecha prevista: 27/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C