TM Single Switch Power Modules

Wolfspeed TM Single Switch Power Modules address a broad range of inverter power levels. These devices are automotive-qualified single-switch power modules in an industry-standard footprint designed for high reliability and broad inverter system scalability, and extended creepage. The TM platform switches fast and clean to deliver high efficiency. Sinterable or solderable backsides and laser-weldable power terminals optimize the platform for automated inverter assembly. Available in various current ratings up to 1200V/320A and 650V/440A, the TM meets the AQG 324 automotive power module standard. The Wolfspeed TM platform offers an extended operating junction temperature of 200°C for up to 100h over device lifetime.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C