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NSVMSD1819A-RT1G

Name: onsemi NSVMSD1819A-RT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMSD1819A-RT1G
Price: 0.23 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NSVMSD1819A-RT1G

Fabr. N.º:

NSVMSD1819A-RT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V

Hoja de datos:

NSVMSD1819A-RT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	0,094 €	47,00 €
	0,073 €	73,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,043 €	129,00 €
	0,038 €	228,00 €
	0,032 €	288,00 €
	0,027 €	648,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-70-3
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente del colector DC máxima:	200 mA
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	60 V
Voltaje colector-base VCBO:	60 V
Voltaje emisor-base VEBO:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	500 mV
Pd (disipación de potencia):	150 mW
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	MSD1819A-R
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	100 mA
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	340
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NSVMSD1819A-RT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

MSD1819A-R General Purpose & Low VCE Transistor

onsemi MSD1819A-R General Purpose and Low V_CE Transistor is designed for amplifier applications. This NPN transistor features a high current gain (h_FE) from 210 to 460 and a low V_CE <0.5V. The NPN transistor comes in the SC-70/SOT-323 package, designed for low-power surface mount applications. The silicon epitaxial planar transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This low V_CE transistor is Pb and halogen/BFR-free. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.