NSVMSD1819A-RT1G

onsemi
863-NSVMSD1819A-RT1G
NSVMSD1819A-RT1G

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-3
NPN
Single
200 mA
60 V
60 V
7 V
500 mV
150 mW
+ 150 C
MSD1819A-R
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Corriente continua del colector: 100 mA
Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 340
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Malasia
El país puede cambiar en el momento del envío.

MSD1819A-R General Purpose & Low VCE Transistor

onsemi MSD1819A-R General Purpose and Low VCE Transistor is designed for amplifier applications. This NPN transistor features a high current gain (hFE) from 210 to 460 and a low VCE <0.5V. The NPN transistor comes in the SC-70/SOT-323 package, designed for low-power surface mount applications. The silicon epitaxial planar transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This low VCE transistor is Pb and halogen/BFR-free. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.

En existencias: 11.311

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
51 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,249 € 0,25 €
0,154 € 1,54 €
0,095 € 9,50 €
0,073 € 36,50 €
0,064 € 64,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
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