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STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 5.32 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP50N60DM6

Fabr. N.º:

STP50N60DM6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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	5,32 €	5,32 €
	3,03 €	30,30 €
	2,78 €	278,00 €
	2,56 €	1.280,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.75 V
Qg (carga de compuertas):	55 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	2 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET is a high-voltage N-channel power MOSFET with extremely high dv/dt ruggedness. This power MOSFET is a fast-recovery body diode that is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STMicroelectronics STP50N60DM6 power MOSFET offers low gate charge, low input capacitance, low resistance, and lower R_DS(on) per area compared to the previous generation. This MOSFET combines very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr), and excellent improvement in R_DS(on) per area with one of the most effective switching behavior. The STP50N60DM6 MDmesh DM6 power MOSFET is ideal for switching applications.