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NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFS3D0N08XT1G

Fabr. N.º:

NTMFS3D0N08XT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Hoja de datos:

NTMFS3D0N08XT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 9.000

Fecha prevista: 23/10/2026
Plazo de producción de fábrica:: 32

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,30 €	2,30 €
	1,47 €	14,70 €
	0,998 €	99,80 €
	0,832 €	416,00 €
	0,697 €	697,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,697 €	1.045,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	154 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	133 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	115 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	NTMFS3D0N08X
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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NTMFS3D0N08XT1G Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS3D0N08X Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D0N08X Single N-Channel Power MOSFET is an 80V T10 standard gate MOSFET ideal for Cloud power, 5G Telecom, and other PSU applications, as well as DC/DC and industrial applications. NTMFS3D0N08X provides better performance with improved system efficiency and high power density with below-performance features. This MOSFET provides improved overall efficiency, improved switching losses, reduced ringing/overshoot/noise, and improved Avalanche ruggedness in fast-switching applications.