1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs are 1200V, 80mΩ MOSFETs that provide superior switching performance and high reliability. These MOSFETs offer low ON resistance and come in compact chip sizes, ensuring low capacitance and gate charge. The EliteSiC N-Channel MOSFETs feature high efficiency, fast operation frequency, high-speed switching, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs come in TO247-3L/TO247-3LD packages. The NVHL080N120SC1 and NVHL080N120SC1A MOSFETs are qualified for automotive according to AEC-Q101 grade certification.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Hoja de datos
1.182En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC