SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor’s G3R™ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer RDS(ON) levels from 12mΩ to 1000mΩ and robustness for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications. These MOSFETs deliver a fast switching frequency, increased power density, reduced ringing (EMI), and a compact size. The G3R SiC MOSFETs are offered in optimized low-inductance discrete packages (SMD and through-hole). The modules are highly optimized for power system designs that require elevated efficiency levels at all operating temperatures and ultra-fast switching speeds with ultra-low losses. GeneSiC SiC MOSFETs provide faster switching and lower ON resistance than silicon-based products. Additional features include superior electric characteristics at high temperatures and significantly lower switching loss, allowing smaller peripheral components to be used.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
1.766En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
898En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 17 A 160 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
26En existencias
150Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 101 A 20 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 256 nC - 55 C + 175 C 569 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 30 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 118 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
506En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
293En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 48 A 45 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 106 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
164En existencias
1.200Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7 A 450 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
800Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 8 A 630 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement