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SCT4036KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4036KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036KW7TL
Price: 13.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4036KW7TL

Fabr. N.º:

SCT4036KW7TL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	13,82 €	13,82 €
	11,09 €	110,90 €
	9,72 €	972,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	9,43 €	9.430,00 €
2.000	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	47 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	91 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Cumplimiento:	Done
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	11 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.1 ns
Alias de parte #:	SCT4036KW7

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 1200V, 36mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4036KW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4036KW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.