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NTMJS1D5N04CLTWG

Name: onsemi NTMJS1D5N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS1D5N04CLTWG
Price: 2.13 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMJS1D5N04CLTWG

Fabr. N.º:

NTMJS1D5N04CLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

Hoja de datos:

NTMJS1D5N04CLTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	1,38 €	13,80 €
	0,946 €	94,60 €
	0,753 €	376,50 €
	0,745 €	745,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	200 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	70 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	110 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	256 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	140 ns
Serie:	NTMJS1D5N04CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	31 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	99,445 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET

onsemi NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET features a small 5mm x 6mm footprint, low R_DS(on), low Gate Charge (Q_G), and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses while the low Q_G and low capacitance minimize driver losses. This single N-channel power MOSFET is Pb-free, RoHS-compliant, and features a -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.