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NVTFWS1D9N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS1D9N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS1D9N04XMTAG
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VTFWS1D9N04XMTAG

Fabr. N.º:

NVTFWS1D9N04XMTAG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVTFWS1D9N04XMTAG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	1,01 €	1,01 €
	0,666 €	6,66 €
	0,552 €	55,20 €
	0,53 €	265,00 €
	0,502 €	502,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,499 €	748,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WDFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	141 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	30 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	74 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia delantera: mín.:	81 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	NVTFWS1D9N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	10 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

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Hoja de datos

NVTFWS1D9N04XMTAG Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS1D9N04XM MOSFET

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET offers a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 141A continuous drain current, and 1.9mΩ at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET is housed in an µ8FL 3.3mm x 3.3mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.