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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMYS4D5N04CTWG

Fabr. N.º:

NVMYS4D5N04CTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 40V SL LFPAK

Hoja de datos:

NVMYS4D5N04CTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	1,44 €	1,44 €
	0,92 €	9,20 €
	0,612 €	61,20 €
	0,483 €	241,50 €
	0,441 €	441,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,405 €	1.215,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	18 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	55 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	57 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	80 ns
Serie:	NVMYS4D5N04C
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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Atributos seleccionados: 0

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NVMYS4D5N04CTWG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs are engineered for automotive applications and encased in a 5mm x 6mm LFPAK package. The onsemi NVMYS4D5N04C facilitates compact and efficient designs while ensuring high thermal performance. The MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications that demand enhanced board-level reliability.