200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000