40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Resultados: 14
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1.955En existencias
1.500Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1.910En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 127 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 4.016En existencias
1.500Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1.485En existencias
1.500Fecha prevista: 17/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 278 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2.540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 6.718En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5.932En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 6.614En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 5.697En existencias
3.000Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 280En existencias
10.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1.126En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 349 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 96 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 1.350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 90En existencias
3.000Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
2.997Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape