RS7 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS7 Power MOSFETs are designed for high-efficiency performance in motor drives, switching applications, and DC/DC converters. Featuring low on-resistance, a robust high-power DFN5060T8LSHAAE package, and Pb-free plating, these ROHM Semiconductor RS7 MOSFETs comply with RoHS and are Halogen-free. Each unit undergoes 100% Rg and UIS testing to ensure superior reliability and performance.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 200A N-CH 1.743En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 150V 125A N-CH 1.748En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 30V 390A 2.365En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 30 V 390 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 160A 2.487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 230A 1.929En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 230 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 410A
2.500Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 640 uOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 445A
2.500Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 445 A 650 uOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 150A N-CH
2.500Fecha prevista: 09/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape