AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with RDS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET 363En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 80 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE 2.295En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep 3.836En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate 3.003En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK 164En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 80 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
1.990Fecha prevista: 06/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel