TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Hoja de datos
305En existencias
700Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W