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CGHV59070F

Name: MACOM CGHV59070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59070F
Price: 690.02 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGHV59070F

Fabr. N.º:

CGHV59070F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt

Hoja de datos:

CGHV59070F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	690,02 €	690,02 €
	606,64 €	6.066,40 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440224
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6.3 A
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	14 dB
Frecuencia operativa máxima:	5.9 GHz
Frecuencia operativa mínima:	4.4 GHz
Energía de salida:	76 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V
Peso unitario:	7,797 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT

MACOM CGHV59070 RF Power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides a general-purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. Operating from a 50V rail, the module delivers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This 70W internally matched GaN HEMT is ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT is offered in a 440224 package.