FS50R12W2T7 & FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies FS50R12W2T7 and FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules are 1200V three-phase input rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor Modules. Based on TRENCHSTOP™ IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode technology, these devices provide strongly reduced losses and are highly controllable. These modules are specially optimized for industrial drive applications, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained with an operation overload temperature up to +175°C in the power module. 

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Hoja de datos
Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray