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AG508EGD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG508EGD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG508EGD3HRBTL
Price: 1.49 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-AG508EGD3HRBTL

Fabr. N.º:

AG508EGD3HRBTL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET TO252 P CHAN 40V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 17/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,49 €	1,49 €
	0,946 €	9,46 €
	0,634 €	63,40 €
	0,50 €	250,00 €
	0,458 €	458,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,423 €	1.057,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	24 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	27.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	53 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	63 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AG508EGD3 -40V -40A P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V/-40A P-Channel Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. It has a low on-resistance (0.024Ω at V_GS=4.5V) and is suitable for automotive systems applications. It comes in a TO-252 (DPAK) package and is Pb-free and RoHS-compliant. The ROHM Semiconductor AG508EGD3 is rated at a drain-source voltage (V_DSS) of -40V and has a continuous drain current (I_D) (at V_GS=-10) of ±40A.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.