SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3 No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.42 V 120 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3 N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 15 A 1.2 kV 1.48 V 150 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3 No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 1.2 kV 1.54 V 210 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 50A 650V TO-247-2 No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.77 V 300 A 22 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3 No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 30 A 1.2 kV 1.54 V 265 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube