STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The device implements innovative super-junction MDmesh DM9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 244En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 236En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1.142En existencias
1.000Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 82En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube